1、無壓燒結 1974年美國GE公司通過在高純度β-SiC細粉中同時加入少量的B和C，采用無壓燒結工藝，于2020℃成功地獲得高密度SiC陶瓷。目前，該工藝已成為制備SiC陶瓷的主要方法。 最近，有研究者在亞微米SiC粉料中加入Al2O3和Y2O3，在1850℃～2000℃溫度下實現SiC的致密燒結。由于燒結溫度低而具有明顯細化的微觀結構，因而，其強度和韌性大大改善。

　　2、熱壓燒結 50年代中期，美國Norton公司就開始研究B、Ni、Cr、Fe、Al等金屬添加物對SiC熱壓燒結的影響。實驗表明：Al和Fe是促進SiC熱壓致密化的最有效的添加劑。 有研究者以Al2O3為添加劑，通過熱壓燒結工藝，也實現了SiC的致密化，并認為其機理是液相燒結。此外，還有研究者分別以B4C、B或B與C，Al2O3和C、Al2O3和Y2O3、Be、B4C與C作添加劑，采用熱壓燒結，也都獲得了致密SiC陶瓷。

　　3、熱等靜壓燒結： 近年來，為進一步提高SiC陶瓷的力學性能，研究人員進行了SiC陶瓷的熱等靜壓工藝的研究工作。研究人員以B和C為添加劑，采用熱等靜壓燒結工藝，在1900℃便獲得高密度SiC燒結體。更進一步，通過該工藝，在2000℃和138MPa壓力下，成功實現無添加劑SiC陶瓷的致密燒結。 研究表明：當SiC粉末的粒徑小于0.6μm時，即使不引入任何添加劑，通過熱等靜壓燒結，在1950℃即可使其致密化。

　　4、反應燒結： SiC的反應燒結法最早在美國研究成功。反應燒結的工藝過程為：先將α-SiC粉和石墨粉按比例混勻，經干壓、擠壓或注漿等方法制成多孔坯體。在高溫下與液態Si接觸，坯體中的C與滲入的Si反應，生成β-SiC，并與α-SiC相結合，過量的Si填充于氣孔，從而得到無孔致密的反應燒結體。反應燒結SiC通常含有8%的游離Si。因此，為保證滲Si的完全，素坯應具有足夠的孔隙度。一般通過調整最初混合料中α-SiC和C的含量，α-SiC的粒度級配，C的形狀和粒度以及成型壓力等手段來獲得適當的素坯密度。

　　綜述：實驗表明，采用無壓燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結和反應燒結的SiC陶瓷具有各異的性能特點。假如就燒結密度和抗彎強度來說，熱壓燒結和熱等靜壓燒結SiC陶瓷相對較高，反應燒結SiC相對較低。另一方面，SiC陶瓷的力學性能還隨燒結添加劑的不同而不同。無壓燒結、熱壓燒結和反應燒結SiC陶瓷對強酸、強堿具有良好的抵抗力，但反應燒結SiC陶瓷對HF等超強酸的抗蝕性較差。就耐高溫性能比較來看，當溫度低于900℃時，幾乎所有SiC陶瓷強度均有所提高;當溫度超過1400℃時，反應燒結SiC陶瓷抗彎強度急劇下降。(這是由于燒結體中含有一定量的游離Si，當超過一定溫度抗彎強度急劇下降所致)對于無壓燒結和熱等靜壓燒結的SiC陶瓷，其耐高溫性能主要受添加劑種類的影響。